GaN HEMT 射频器件陷阱效应测试方法 (DB13/T 5695-2023)

标准号DB13/T 5695-2023状态

发布于：2023-05-06

实施于：2023-06-06

GaN HEMT 射频器件陷阱效应测试方法基本信息

标准号：DB13/T 5695-2023

制修订：制定

中国标准分类号：L 40

国际标准分类号：31.08

批准发布部门：河北省市场监督管理局

行业分类：无

标准类别：方法标准