标准号GB/T 11073-2025状态
发布于：2025-10-31
实施于：2026-05-01
硅片径向电阻率变化测量方法基本信息
标准号：GB/T 11073-2025
全部代替标准：GB/T 11073-2007
标准类别：方法
中国标准分类号：H17
国际标准分类号： 77.040 77 冶金，77.040 金属材料试验
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会、全国有色金属标准化技术委员会
副归口单位：全国有色金属标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门：国家标准委
国家标准《硅片径向电阻率变化测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。
主要起草单位 麦斯克电子材料股份有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、山东有研艾斯半导体材料有限公司、中环领先半导体科技股份有限公司、浙江中晶科技股份有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、上海新昇半导体科技有限公司、上海合晶硅材料股份有限公司、广东先导微电子科技有限公司。
主要起草人 方丽霞 、郭可 、马武祥 、邢胜昌 、张志林 、寇文杰 、王江华 、朱晓彤 、邓春星 、黄笑容 、潘金平 、李慎重 、冯天 、尚海波 、马金峰 。
硅片径向电阻率变化测量方法 (GB/T 11073-2025)
