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半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分:边缘卷曲法(ROA) (GB/T 43894.2-2026)

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标准号GB/T 43894.2-2026状态

发布于:2026-01-28

实施于:2026-08-01

半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分:边缘卷曲法(ROA)基本信息

标准号:GB/T 43894.2-2026

标准类别:方法

中国标准分类号:H21

国际标准分类号: 77.040 77 冶金,77.040 金属材料试验

归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会

主管部门:国家标准委

国家标准《半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分:边缘卷曲法(ROA)》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准委。

主要起草单位 山东有研半导体材料有限公司、西安奕斯伟材料科技股份有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、金瑞泓微电子(衢州)有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、广东天域半导体股份有限公司、深圳中科飞测科技股份有限公司、云南驰宏国际锗业有限公司。

主要起草人 宁永铎 、朱晓彤 、于亚迪 、王玥 、张婉婉 、张雪囡 、刘云霞 、徐国科 、吕莹 、徐新华 、丁雄杰 、马砚忠 、陆占清 。

半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分:边缘卷曲法(ROA) (GB/T 43894.2-2026)

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