标准号T/CASAS 064-2026状态
发布日期：2026-06-30
实施日期：2026-06-30
应用于SiC MOSFET功率器件动态测试回路杂感测试方法基本信息
标准号：T/CASAS 064—2026
英文标题：Testing method for parasitic inductance of silicon carbide metal oxide semiconductor filed effect transistors (SiC MOSFET) and power loop in dynamic characterization
国际标准分类号：31电子学
国民经济分类：C 制造业
起草人：毛赛君、严雪松、陈媛、李汝冠、陆月明、肖磊、徐新兵、林氦、陈哲、周行星、任志军、孙承志、张彤宇、王来利、郭斌、闫晗、高伟
起草单位：忱芯科技(上海)有限公司、工业和*******五研究所、广电计量检测集团股份有限公司、安徽长飞先进半导体股份有限公司、深圳平湖实验室、浙江大学绍兴研究院、国网上海市电力公司电力科学研究院、博测锐创半导体科技(苏州)有限公司、是德科技(中国)有限公司、西安交通大学、杭州沃镭智能科技股份有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
适用范围：本文件描述了双脉冲测试条件下对应用于SiCMOSFET功率器件动态测试回路杂感测试的术语和定义、符号、测试电路、测试条件、测试仪器、测试方法、计量方法等相关内容。本文件适用于分立器件和功率模块等封装SiCMOSFET功率器件的开关动态测试与评估，对于SiCJFET、SiCBJT、SiCIGBT等其他类型的SiC晶体管功率器件，可参照本文件执行。
内容概括：主要技术内容：本文件描述了双脉冲测试条件下SiCMOSFET功率器件动态测试回路杂感测试的术语和定义、符号、测试电路、测试条件、测试仪器、测试方法、计量方法等相关内容。本文件适用于分立器件和功率模块等封装SiCMOSFET功率器件的开关动态测试与评估，对于SiCJFET、SiCBJT、SiCIGBT等其他类型的SiC晶体管功率器件，可参照本文件执行。本标准T/CASAS……
