标准号T/CASAS 056-2026状态
发布日期：2026-09-28
实施日期：2026-09-28
半导体材料紫外光电子产额谱测试方法基本信息
标准号：T/CASAS 056—2026
英文标题：Ultraviolet photoelectron yield spectroscopy test methods for semiconductor materials
国际标准分类号：29电气工程
国民经济分类：C 制造业
起草人：陈玉、魏学成、王双、张敏、闫丹、侯潇涵、童柏豪、魏麟欢、郭雅丽、张浩、张思超、毛佳乐、刘鑫、白洁、钟辉、王妍、谭奥、李振璇、王以宁、周嘉杰、刘京宜、张浩业、赵亚林、尚世博、沈自才、黄煜、刘术林、吕永卫、洪才浩、范有余、殷尧平、刘康、高伟
起草单位：西安交通大学、中国科学院半导体研究所、西北大学、北京卫*****研究所、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、中国科学院高能物理研究所、陕西科控技术产业研究院有限公司、北京玉研精密仪器有限公司、上海恒益光学精密机械有限公司、常州玉宇电光器件有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
适用范围：本文件描述了第三代半导体材料紫外光电子发射产额测试的方法，包括目的、原理、要求、标准材料、样品制备、程序、数据处理、报告。本文件适用于半导体领域常用第三代半导体材料的紫外光电子发射产额测试。
内容概括：半导体材料紫外光电子产额谱测试方法旨在建立一套系统、规范的测试流程和技术标准，用于准确评估半导体材料在紫外光照射下的光电子产额特性。该技术方法利用紫外光电子产额谱技术，结合光电效应原理，分析半导体材料在特定波长紫外光照射下的光电子发射产额及其相关性质。紫外光电子产额谱测试方法可以通过对样品施加偏置电压来检测光电子的电流，从而准确测定高度绝缘材料的离化能；紫外光电子产额谱测试方法还可以利用紫外光电子产额谱对光子能量的导数给出被占据电子态相对于能量的变化，进而揭示被占据态电子价带形状及其态密度(DOS)。……
