标准号T/CASAS 052-2025状态
发布日期：2025年05月26日
实施日期：2025年05月26日
非钳位感性负载开关应力下GaN HEMT在线测试方法基本信息
标准编号：T/CASAS 052—2025
英文标题：Online test method of GaN High-Electron-Mobility-Transistor under unclamped inductive switching
国际标准分类号：31.080.01半导体器分立件综合
国民经济分类：C397 电子器件制造
起草人：孙瑞泽、陈万军、明鑫、施宜军、黄火林、任开琳、魏进、刘强、曾威、王小明、石瑜、夏云、刘成、裴轶、孙海洋、耿霄雄、孙承志、陈希辰、高伟
起草单位：电子科技大学、工业和信息化部电子第五研究所、大连理工大学、上海大学、北京大学、北京大学东莞光电研究院、深圳平湖实验室、湖南三安半导体有限责任公司、苏州能讯高能半导体有限公司、杭州长川科技股份有限公司、是德科技（中国）有限公司、佛山市联动科技股份有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
范围：本文件描述了执行非钳位感性负载应力下氮化镓高电子迁移率晶体管在线测试方法，包括原理、测试条件、仪器设备、测试步骤、试验数据处理和试验报告。本文件适用于封装级GaN HEMT器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评价及应用评估。
内容概括：GaNHEMT器件在电动机驱动等感性负载的应用环境中，如果负载出现故障则需要立即关断负载和功率器件。此时感性负载元件中存储能量未能及时释放，器件漏极将承受较大的……