标准号T/CPSS 1018-2025状态
发布日期：2025年08月22日
实施日期：2025年08月23日
半导体制造用等离子体工艺射频电源动态阻抗测试方法基本信息
标准编号：T/CPSS 1018—2025
英文标题：Test methods for dynamic impedance of RF generator applied in semiconductor manufacturing plasma process
国际标准分类号：19.080
中国标准分类号：K 80
国民经济分类：C389 其他电气机械及器材制造
起草人：乐卫平、林伟群、黄永镇、张桂东、高飞、张赛谦、郭东、王佳航、汪昌州、朱建明、朱刚毅、孙桂红、梁红、陈立、潘振强、李志荣、梁洁、冼健威、李国强、汪洪亮
起草单位：深圳市恒运昌真空技术有限公司、广东工业大学、大连理工大学、拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司、上海陛通半导体能源科技股份有限公司、肇庆市科润真空设备有限公司、广东腾胜科技创新有限公司、湘潭宏大真空技术股份有限公司、广东振华科技股份有限公司、广东汇成真空科技股份有限公司、上海邦芯半导体科技有限公司、东莞市晟鼎精密仪器有限公司、湖南玉丰真空科学技术有限公司、湖南大学
内容概括：本文件规定了半导体制造等离子体工艺射频电源动态阻抗测试方法的术语和定义、原理、测试环境条件、仪器设备、测试方法、测试报告等技术内容。本文件适用于半导体刻蚀、薄膜……