辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法 (T/CIE 145-2022)

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用户名称：-郑旭9652

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认证方式：手机认证

发布时间：2022-12-31

实施时间：2023-01-31

标准号：T/CIE 145-2022

标准名称：辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法

起草人：彭超、雷志锋、何玉娟、张战刚、肖庆中、来萍、黄云、李兴冀、杨剑群、徐晓东

起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、哈尔滨工业大学

本文件规定了利用电容瞬态深能级瞬态谱（DLTS）测试辐射诱生缺陷的方法和程序。本文件适用于包含P-N结、肖特基结、MOS结构的半导体器件中辐射诱生深能级缺陷的测试。

辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法 (T/CIE 145-2022)

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