标准号T/CASAS 060-2025状态
发布日期：2025年08月29日
实施日期：2025年08月29日
用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片基本信息
标准编号：T/CASAS 060—2025
英文标题：GaN on Si epitaxial wafers for HEMT power devices
国际标准分类号：29.045
国民经济分类：C398 电子元件及电子专用材料制造
起草人：向鹏、程凯、卢国军、叶念慈、刘成、刘扬、贾利芳、施宜军、刘强、贺致远、黄火林、王中党、曾凡明、康玄武、王钰、王文平、高伟。
起草单位：苏州晶湛半导体有限公司、北京中博芯半导体科技有限公司、厦门市三安集成电路有限公司、中山大学、中国科学院半导体研究所、工业和信息化部电子第五研究所、北京大学东莞光电研究院、广东工业大学、大连理工大学、珠海镓未来科技有限公司、中国科学院微电子研究所，芯联集成电路制造股份有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
内容概括：本文件规定了用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片（以下简称“氮化镓外延片”）的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于在硅衬……