标准号T/IAWBS 025-2025状态
发布日期：2025年09月24日
实施日期：2025年10月10日
碳化硅器件功率循环试验方法基本信息
标准编号：T/IAWBS 025—2025
英文标题：Power cycling test methods for silicon carbide power devices
国际标准分类号：31.080.01半导体器分立件综合
中国标准分类号：中国
国民经济分类：C397 电子器件制造
起草人：张瑾，邹欣宇，王智强，傅金源，郭兴华，刘祎晨
起草单位：中国科学院电工研究所、华中科技大学、浙江芯丰科技有限公司、 华侨大学、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
范围：本文件提出了碳化硅器件在进行功率循环试验时需要遵循的方法和步骤。本文件适用于碳化硅金属氧化物场效应晶体管（SiC MOSFET）、碳化硅（SiC）二极管以及二者混合封装器件的测试。
内容概括：本文件规定了碳化硅（SiC）二极管器件、碳化硅金属氧化物场效应晶体管（SiCMOSFET）器件以及二者混合封装的器件，在进行功率循环试验时，需要遵循的方法和步骤……
