标准号T/COS 029-2025状态
发布日期：2025年10月01日
实施日期：2025年10月01日
电子封装用高硅铝合金化学分析方法痕量杂质元素的测定辉光放电质谱法基本信息
标准编号：T/COS 029—2025
英文标题：Methods for chemical analysis of high silicon aluminum alloy for electronic packaging Determination of trace impurity elements contents—Dlow discharge mass spectrometry
国际标准分类号：17.180.01光学和光学测量综合
中国标准分类号：中国兵器工业集团第五二研究所，中国兵器工业集团第五三研究所，中国电子科技集团公司第二十九研究所。
国民经济分类：C419 其他未列明制造业
起草人：翟宇鑫、连危洁、杜喜望、韩震、崔崇亮、崔意娟、李爽、田兆永、李颖、陈伟、马兰、韩振生、李惠雨、张毅飞、赵敏
起草单位：中国兵器工业集团第五二研究所，中国兵器工业集团第五三研究所，中国电子科技集团公司第二十九研究所
范围：本文件规定了电子封装用高硅铝合金（硅添加量≥40%）中痕量杂质元素含量的测定方法。本文件适用于电子封装用高硅铝合金（硅添加量≥40%）中痕量杂质元素含量的测定。测定范围覆盖除气体元素外的其他杂质元素，质量分数为0.1 ㎎/㎏-500 ㎎/㎏，且经标准样品校正后，可对样品进行准确的定量分析。
内容概括：1范围 2规范性引用文件 3术语和定义 3.1 背景空白样品 3.2 质量校正标准样品 3.3 仪器检测器校正标准样品 3.4 ICE 3.5 半定量分析法 4……