标准号T/CASAS 069-2026状态
发布日期：2026-05-06
实施日期：2026-05-06
半导体晶片激光刻字深度的测定 白光干涉法基本信息
标准号：T/CASAS 069—2026
英文标题：Measurement of laser marking depth of semiconductor wafer — White light interference method
国际标准分类号：29电气工程
国民经济分类：C 制造业
起草人：-
起草单位：-
适用范围：本文件规定了半导体晶片激光刻字深度的白光干涉检测方法，包括原理、试验条件、仪器设备、样品、试验步骤、试验数据处理、精密度和测量不确定度以及报告。本文件适用于采用白光干涉技术对包括切割片、研磨片和抛光片在内的半导体晶片（含硅、碳化硅、氮化镓、氮化铝等）的激光刻字深度的测量。
内容概括：本标准从半导体晶片激光刻字的检测需求出发，从以下方面对白光干涉法测量刻字深度作出了规范：（1）原理白光干涉法利用宽带光源（通常为白光）产生干涉条纹来分析表面形貌。该方法通过垂直扫描样品表面，捕捉干涉条纹的变化，进而重建三维表面高度信息。刻字深度可以通过对刻字区域与未刻字参照区域的高度差进行计算获得。（2）试验条件标准规定了进行激光刻字深度测量的环境条件，包括温度、湿度、振动控制和洁净度要求，确保测量结果的可靠性和可重复性。（3）仪器设备标准规范了白光干涉仪的性能要……
