标准号T/CASAS 041-2026状态
发布日期：2025-12-01
实施日期：2025-12-01
基于感性负载的SiC功率模块老化筛选试验方法基本信息
标准号：T/CASAS 041—2026
英文标题：SiC Power Module Variable-frequency aging test specification based on reactive load
国际标准分类号：31电子学
国民经济分类：C 制造业
起草人：王民、蔡丹丹、巫世晶、焦双凤、余伟、李义、曾正、任春茂、钟锋浩、张文亮、佘超群、毛赛君、陈材、陈媛、徐刚、王闻宇、张进、刘强、方程、李敏、陈志文、徐广文、谢峰、张孟杰、宋津生、黄海涛、张星、赵争力、袁俊、李东明、高伟
起草单位：智新半导体有限公司、东风汽车集团有限公司研发总院、武汉大学、株洲中车时代半导体股份有限公司、重庆大学、长川半导体(深圳)有限公司、山东阅芯电子科技有限公司、忱芯科技(上海)有限公司、华中科技大学、工业和信息化部电子第五研究所、智新科技股份有限公司、北京大学东莞光电研究院、岚图汽车科技股份有限公司、中国第一汽车集团有限公司研发总院、芯派科技股份有限公司、杭州三海电子科技股份有限公司、杭州长川科技股份有限公司、深圳市禾望电气股份有限公司、龙腾半导体股份有限公司、上海瞻芯电子科技股份有限公司、化合积电(厦门)半导体科技有限公司、杭州士兰微电子股份有限公司、湖北九峰山实验室、恩艾(中国)仪器有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
适用范围：本文件本文件描述了包含SiCMOSFET的功率半导体模块（以下简称“模块”）的基于感性负载的变频输出的筛选试验方法，包括：试验装置、试验方法、失效判定与数据处理、测试报告。本文件适用于SiCMOSFET等功率半导体模块的变频输出测试。本文件适用于三相逆变拓扑电路应用的功率模块筛选（其他拓扑电路应用亦可参考使用）。本文件也适用于分立器件的筛选测试。
内容概括：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。自2017年特斯拉在其电动汽车逆变器中采用SiCMOSFET以来，SiC功率电子市场经历了显著的增长，预测至2029年，SiC器件市场总值将超过100亿美元，其中汽车和移动设备（Automotive&Mobility）市……
