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碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法 (GB/T 43313-2023)

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标准号GB/T 43313-2023状态

发布于:2023-11-27

实施于:2024-06-01

碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法基本信息

标准号:GB/T 43313-2023

标准类别:方法

中国标准分类号:H21

国际标准分类号: 77.040 77 冶金,77.040 金属材料试验

归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会

主管部门:国家标准化管理委员会

国家标准《碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位 中国电子科技集团公司第四十六研究所、山东天岳先进科技股份有限公司、常州臻晶半导体有限公司、湖州东尼半导体科技有限公司、厦门坤锦电子科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中国科学院半导体研究所、TCL环鑫半导体(天津)有限公司、浙江东尼电子股份有限公司。

主要起草人 姚康 、刘立娜 、何烜坤 、李素青 、马春喜 、高飞 、张红岩 、陆敏 、郑红军 、房玉龙 、芦伟立 、丁雄杰 、刘薇 、李嘉炜 、晏阳 、钮应喜 、杨玉聪 、黄树福 。

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