当前位置:首页  标准  推荐国标内容详情

半导体器件 金属氧化物半导体(MOS) 晶体管的热载流子试验 (GB/T 45719-2025)

标准号GB/T 45719-2025状态

发布于:2025-05-30

实施于:2025-09-01

标准名:半导体器件 金属氧化物半导体(MOS) 晶体管的热载流子试验

标准号:GB/T 45719-2025

标准类别:方法

中国标准分类号:L40

国际标准分类号: 31.080.01 31 电子学,31.080 半导体分立器件,31.080.01 半导体分立器件综合

归口单位:全国半导体器件标准化技术委员会

执行单位:全国半导体器件标准化技术委员会

主管部门:工业和信息化部(电子)

国家标准《半导体器件 金属氧化物半导体(MOS) 晶体管的热载流子试验》由TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为工业和信息化部(电子)。

主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所、西安电子科技大学、国防科技大学、河北北芯半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司第五十八研究所。

主要起草人 路国光 、章晓文 、林晓玲 、游海龙 、杨少华 、彭超 、肖庆中 、韦覃如 、来萍 、梁斌 、张魁 、赵文斌 、晋李华 。

声明:本站为网络服务提供者及网络索引服务平台资源索引自网络/用户分享,如有版权问题,请联系站方删除。

不能下载?资源帮助服务