标准号GB/T 45718-2025状态
发布于：2025-05-30
实施于：2025-09-01
标准名：半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验
标准号：GB/T 45718-2025
标准类别：方法
中国标准分类号：L40
国际标准分类号： 31.080.01 31 电子学，31.080 半导体分立器件，31.080.01 半导体分立器件综合
归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会
执行单位：全国半导体器件标准化技术委员会
主管部门：工业和信息化部（电子）
国家标准《半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。
主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所、吉林华微电子股份有限公司、广东科信电子有限公司、中国电子科技集团公司第二十四研究所、广东汇芯半导体有限公司、上海交通大学、青岛芯瑞智能控制有限公司、电子科技大学。
主要起草人 高汭 、陈义强 、王铁羊 、柯佳键 、冯宇翔 、雷志锋 、方文啸 、杨晓锋 、俞鹏飞 、来萍 、常江 、罗俊 、纪志罡 、李治平 、宫玉彬 。
