标准号GB/T 32278-2025状态
发布于：2025-08-01
实施于：2026-02-01
碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法基本信息
标准号：GB/T 32278-2025
全部代替标准：GB/T 32278-2015,GB/T 30867-2014
标准类别：方法
中国标准分类号：H 21
国际标准分类号： 77.040 77 冶金，77.040 金属材料试验
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门：国家标准委
国家标准《碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。
主要起草单位 北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、山东天岳先进科技股份有限公司、安徽长飞先进半导体股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江晶瑞电子材料有限公司、连科半导体有限公司、长飞光纤光缆股份有限公司、派恩杰半导体（浙江）有限公司。
主要起草人 佘宗静 、彭同华 、何烜坤 、王大军 、王波 、杨建 、贺东江 、吴殿瑞 、刘小平 、刘薇 、黄宇程 、胡动力 、汪传勇 、赵文琪 、黄兴 。
碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法 (GB/T 32278-2025)
