半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验 (GB/T 46789-2025)

标准号GB/T 46789-2025状态

发布于：2025-12-02

实施于：2026-07-01

半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验基本信息

标准号：GB/T 46789-2025

标准类别：方法

中国标准分类号：L40

国际标准分类号： 31.080.01 31 电子学，31.080 半导体分立器件，31.080.01 半导体分立器件综合

归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会

执行单位：全国半导体器件标准化技术委员会

主管部门：工业和信息化部（电子）

国家标准《半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 中国电子科技集团公司第十三研究所、河北北芯半导体科技有限公司、合肥华祯智能科技有限公司、佛山市川东磁电股份有限公司、厦门芯阳科技股份有限公司、河北新华北集成电路有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、上海维安半导体有限公司、浙江朗德电子科技有限公司、重庆平伟实业股份有限公司、无锡新洁能股份有限公司、江苏长晶科技股份有限公司、河北赛美科技有限公司。

主要起草人 赵海龙 、彭浩 、张魁 、张中 、席善斌 、黄志强 、黄杰 、刘东月 、冉红雷 、尹丽晶 、颜天宝 、裴选 、柳华光 、曲韩宾 、任怀龙 、高博 、章晓文 、苏海伟 、陈磊 、李述洲 、朱袁正 、杨国江 、李永安 、康金萌 。

半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验 (GB/T 46789-2025)