标准号SJ/T 10482-1994状态
发布于：1994-04-11
实施于：1994-10-01
半导体深能级的瞬态电容测试方法
标准号：SJ/T 10482-1994
中国标准分类号：L11
国际标准分类号：29.045
批准发布部门：电子工业部
行业分类：无
本标准规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱(DLTS)法测量半导体材料中深能级的测试方法。 本标准适用于测量硅、砷化镓等半导体材料中杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。由此法可得到深能级的激活能、浓度、指数前因子A等参数。本标准适用于产生指数形式电容瞬态有关的深能级。
