标准号T/CASAS 004.1—2018状态
发布时间：2018年11月20日
实施时间：2018年11月20日
4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语基本信息
标准号：T/CASAS 004.1—2018
团体名称：中国标准化协会
主要技术内容：由于4H-SiC缺陷特别是4H-SiC外延缺陷与常见的其它半导体缺陷形状、类型、起因因外延生长模式的不同而有所不同或完全不同，而且目前尚未有适用的国家标准和行业标准，因此，为了规范4H-SiC缺陷术语和定义，特制定本标准。
中国标准分类号：M731 自然科学研究和试验发展
国际标准分类号：31.080.01 半导体器分立件综合
发证机关：中华人民共和国民政部
行业分类：半导体器分立件综合
标准名称：4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语
