标准号T/CASAS 055-2026状态
发布日期：2026-09-28
实施日期：2026-09-28
半导体材料紫外光电子能谱测试方法基本信息
标准号：T/CASAS 055—2026
英文标题：Ultraviolet photoelectron spectroscopy test methods for semiconductor materials
国际标准分类号：29电气工程
国民经济分类：C 制造业
起草人：陈玉、魏学成、王双、张敏、闫丹、侯潇涵、郭雅丽、张思超、张浩、魏麟欢、童柏豪、刘鑫、毛佳乐、白洁、钟辉、王妍、李振璇、谭奥、王以宁、刘京宜、周嘉杰、张浩业、尚世博、赵亚林、沈自才、黄煜、刘术林、吕永卫、洪才浩、范有余、殷尧平、刘康、高伟
起草单位：西安交通大学、中国科学院半导体研究所、西北大学、北京卫*****研究所、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、中国科学院高能物理研究所、陕西科控技术产业研究院有限公司、北京玉研精密仪器有限公司、上海恒益光学精密机械有限公司、常州玉宇电光器件有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
适用范围：本文件描述了第三代半导体材料紫外光电子能谱测试的方法，包括目的、原理、要求、标准材料、样品制备、程序、数据处理、报告。本文件适用于半导体领域常用第三代半导体材料的紫外光电子能谱测试。
内容概括：半导体材料紫外光电子能谱测试方法旨在建立一套系统、规范的测试流程和技术标准，用于准确进行半导体材料的电子结构精细表征。该技术方法利用紫外光电子能谱测试技术，基于入射能量连续可调、低能无损、高分辨率的测试方法，更好地匹配不同半导体材料的电离截面，获得更强的探测信号，从而建立高灵敏度材料紫外光电子发射能谱，提供典型半导体材料费米能级到价带附近的精细电子态，进而研究典型半导体材料的功函数以及异质结界面的价带偏移情况，定量分析表征半导体材料的表面态及其相关性质。……
