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碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法 (T/CASAS 026-2023)

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标准号T/CASAS 026-2023状态

发布日期:2023年06月19日

实施日期:2023年06月19日

碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法基本信息

标准编号:T/CASAS 026—2023

英文标题:Test method for minority carrier lifetime in silicon carbide—microwave photoconductive decay

国际标准分类号:31-030

国民经济分类:C398 电子元件及电子专用材料制造

起草人:杨祥龙、崔潆心、彭燕、徐现刚、来玲玲、于国建、冯淦、丁雄杰、秋琪、林云昊、赵海明、钮应喜、金向军、徐瑞鹏

起草单位:山东大学、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、广东天域半导体股份有限公司、泰科天润半导体科技(北京)有限公司、杭州海乾半导体有限公司、安徽长飞先进半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

内容概括:本文件描述了用微波光电导法测定碳化硅少数载流子寿命的方法。本文件适用于少数载流子寿命为20ns~200μs的碳化硅晶片的寿命测定及质量评价。……

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