标准号T/ACCEM 515-2025状态
发布日期：2025年03月20日
实施日期：2025年04月18日
高性能高密度沟槽栅IGBT器件基本信息
标准编号：T/ACCEM 515—2025
国际标准分类号：31.080.01半导体器分立件综合
中国标准分类号：L 42
国民经济分类：C397 电子器件制造
起草人：王丕龙、王新强、何钧、李学贵、张凯、吴洪基、陈佳恩、侯彩侠、王永铖、朱建英、朱加庚、马丽娜、李娜、武瑶萍、邓颖、谭文涛、贾洪玉、李永、郑建国、杨玉珍、秦鹏海、李婉秋、刘增、豆坤、李晓东、李大鑫
起草单位：青岛佳恩半导体有限公司、青岛佳恩半导体科技有限公司、深圳佳恩功率半导体有限公司、苏州创芯致尚微电子有限公司
内容概括：本文件规定了高性能高密度沟槽栅IGBT器件的结构、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于高性能高密度沟槽栅IGBT器件的生产和检验。……
