标准号T/CASAS 061-2026状态
发布日期：2026-06-30
实施日期：2026-06-30
SiC MOSFET功率模块局部放电试验方法基本信息
标准号：T/CASAS 061—2026
英文标题：Partial discharge test method for silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (SiC MOSFET) power module
国际标准分类号：31电子学
国民经济分类：C 制造业
起草人：王亚林、祝曦、樊嘉杰、杨霏、田鸿昌、滕乐天、陈哲、周行星、尹毅、方志、赵爽、王雅妮、姚周飞、汪剑文、李学宝、何东欣、崔潆心、张站旗、许洪华、延巧娜、左元慧、李世丹、庄建军、管秀晗、高伟
起草单位：上海交通大学、南京工业大学、复旦大学、中国电力科学研究院有限公司、中国电气装备集团科学技术研究院有限公司、上海电力大学、华北电力大学、怀柔实验室、华东电力试验研究院有限公司、小米汽车科技有限公司、合肥工业大学、山东大学、复旦大学宁波研究院、上海林众电子科技有限公司、常州银河世纪微电子股份有限公司、国网江苏省电力有限公司南京供电分公司、南京电力设计研究院有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
适用范围：本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）功率模块局部放电试验方法，包括：仪器设备、样品、试验步骤、试验数据处理以及试验报告。本文件适用于对SiCMOSFET功率模块封装绝缘可靠性的评估。
内容概括：本文件针对SiCMOSFET功率模块在方波脉冲电压下的局部放电试验，制定了系统的技术规范。其核心内容涵盖仪器设备配置、样品制备方法和试验步骤，明确规定了方波脉冲发生装置的参数（上升/下降时间0.04μs～1μs、重复频率0～100kHz、占空比5%～95%），并推荐了三种局部放电检出方式（耦合电容配合检测阻抗、高频电流传感器、天线耦合），同时要求信号处理系统具备从强位移电流和电磁干扰中有效提取放电脉冲的能力。文件详细规定了两种主要试验类型：一是测量局部放电起始/熄灭电压（PDIV/PDEV）及其重复性指标（R……
