标准号T/IAWBS 027-2026状态
发布日期：2026-06-30
实施日期：2026-07-07
碳化硅单晶抛光片堆垛层错的测试方法基本信息
标准号：T/IAWBS 027—2026
英文标题：Test method for stacking fault of polished monocrystalline silicon carbide wafers
国际标准分类号：77冶金
国民经济分类：C 制造业
起草人：佘宗静、彭同华、崔云雯、邹宇、康乾、李松松、刘祎晨、王波、赵宁、张平、丁雄杰、陈志霞、侯晓蕊
起草单位：北京天科合达半导体股份有限公司、江苏天科合达半导体有限公司、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、广东天域半导体股份有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司、山西烁科晶体有限公司
适用范围：本文件适用于厚度范围为300μm~1500μm的碳化硅单晶抛光片堆垛层错的测试。
内容概括：本文件规定了4H碳化硅单晶抛光片堆垛层错的无损光学测试方法，即光致发光法。……
