碲化镉薄膜材料特性

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碲化镉是一种直接带隙半导体材料，带隙宽度约为1.45电子伏特，与太阳光谱峰值匹配良好，适合用于薄膜太阳能电池。它具有较高的光吸收系数，只需几微米厚的薄膜即可吸收大部分可见光，因此材料用量少。碲化镉薄膜通常通过气相沉积法（如近空间升华、气相输运沉积）制备，工艺相对简单且成本较低。在实际应用中，碲化镉材料对湿气和高温环境较为敏感，需要适当的封装保护，但在稳定工作条件下，其光电转换效率可超过20%。此外，碲化镉属于II-VI族化合物，结晶结构为闪锌矿型，在薄膜生长过程中容易形成缺陷，影响载流子寿命和器件性能。