移动式副加热器对铸造单晶硅侧壁形核的数值优化

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移动式副加热器对铸造单晶硅侧壁形核的数值优化研究，主要利用数值模拟方法分析副加热器的位置与功率参数对铸造单晶硅生长过程中固液界面形状及侧壁形核行为的影响。通过优化加热器参数，能够有效控制热场分布，抑制侧壁非均匀形核，从而提高单晶硅的生长质量和成品率。研究结果表明，合理调节副加热器可以实现更理想的界面形状与更低的形核风险，为铸造单晶硅工艺改进提供理论依据。