异质结金属化新发展

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异质结金属化是半导体器件制造中的关键工艺，近年来其发展聚焦于降低接触电阻、提升热稳定性和界面质量。新进展包括采用二维材料作为中间层，如石墨烯或过渡金属硫族化物，以优化能带对齐并抑制界面扩散；开发低功函数或高功函数金属合金，如Ti/Al基和Ni/Au基材料，以适应不同极化特性的异质结；引入激光退火或快速热退火技术，精确控制金属-半导体界面反应，减少缺陷态密度。此外，针对钙钛矿/硅串联太阳能电池等新兴异质结，探索了非破坏性金属化方法，如转移印刷或电化学沉积，以避免损伤底层材料。整体趋势是向超薄、低损伤、多材料兼容的方向演进，以支撑下一代高性能电子和光电器件。