使用深能级瞬态谱研究P型硅太阳电池的光率机理

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使用深能级瞬态谱研究了P型硅太阳电池的光衰机制。通过该技术，分析了电池在光照前后深能级缺陷的变化，发现光照会诱导特定缺陷态的生成或增强，这些缺陷作为复合中心降低了少数载流子寿命，从而导致电池效率衰减。实验揭示了缺陷的能级位置、俘获截面及浓度等参数，为理解光衰机理和优化电池抗光衰性能提供了依据。