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本文探讨了Topcon激光工艺的两种技术路径。第一种是激光掺杂,通过在硅片表面特定区域进行激光处理形成选择性发射极;第二种是激光开槽,利用激光在钝化层上开槽实现金属接触。从经济性角度,两种路径在设备投入、工艺复杂度、良率和效率提升方面存在差异。激光掺杂设备成本较高但效率增益更明显,适合追求高转换效率的生产线;激光开槽工艺简单且设备投入较低,但效率提升有限。整体而言,选择何种路径需综合考虑产能规模、预算和效率目标。
内部研究笔记 Topcon激光工艺的两种路径及经济性探讨