金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性测试。 (IEC 62373:2006)

IEC 62373:2006 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性测试。

Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET)

标准号：IEC 62373:2006

发布日期：2006-07-18

IEC62373:2006标准适用于评估金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）在偏置温度应力（BTS）测试下的稳定性。该标准规定了测试方法和条件，用于测定MOSFET器件在施加电压和温度应力时其电参数（如阈值电压）随时间的变化情况，以评估器件的可靠性和长期稳定性。它主要针对功率MOSFET和集成电路中的MOSFET元件，适用于半导体器件制造商、测试实验室及相关研发领域。