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表面声波(SAW)器件用单晶晶片——规格与测量方法 (IEC 62276:2025)

IEC 62276:2025 表面声波(SAW)器件用单晶晶片——规格与测量方法

Single crystal wafers for surface acoustic wave (SAW) device applications - Specifications and measuring methods

标准号:IEC 62276:2025

发布日期:2025-03-07

IEC62276:2025适用于单晶硅抛光片表面晶体原生凹坑(COP)的测量。该标准规定了利用基于光散射的缺陷检测仪器,通过激光扫描和散射光信号分析,对抛光硅片表面COP缺陷进行识别、计数和尺寸评估的方法与程序。它主要适用于直径150mm及以上、用于集成电路制造的单晶硅抛光片,为半导体行业提供统一的COP缺陷检测与表征技术规范,以确保晶圆表面质量评估的一致性和可比性。

表面声波(SAW)器件用单晶晶片——规格与测量方法 (IEC 62276:2025)

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