掺镓直拉单晶硅片在隧穿氧化硅钝化接触电池中的应用

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掺镓直拉单晶硅片在隧穿氧化硅钝化接触电池中的应用主要解决了传统掺硼硅片因硼氧复合体导致的光致衰减问题。镓作为掺杂剂替代硼，使硅片具有更高的电阻率均匀性和更稳定的少子寿命，同时避免了光照下的性能退化。该硅片与隧穿氧化层及多晶硅钝化接触结构结合后，能显著降低载流子复合损失，提升开路电压和转换效率。此外，其较低的金属接触电阻和良好的工艺兼容性使其成为高效太阳电池量产化的优选材料。