径向p-n结在黑硅太阳能电池中的应用研究

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径向p-n结通过将p型与n型半导体材料以同轴圆柱形结构排列，在黑硅表面形成三维空间电荷区，有效缩短了少数载流子的收集路径，减少复合损失。黑硅的纳米级表面结构降低了对太阳光的反射并增强了光捕获能力。两者结合使电池在宽光谱、大角度入射条件下均能提升光电转换效率，尤其适用于光伏产业中对弱光环境及低成本、高效率的方向需求。