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本文研究掺杂非晶硅沉积过程对硅异质结(SHJ)太阳电池界面钝化的影响。通过改变沉积参数,分析了不同掺杂类型、厚度及工艺条件对界面缺陷态密度、载流子复合速率和钝化质量的作用机制。实验发现,优化掺杂非晶硅层的沉积工艺,如控制衬底温度、气体流量和射频功率,能显著降低界面态密度,提升少子寿命和开路电压。研究结果为高效SHJ太阳电池的界面钝化优化提供了工艺指导。
掺杂非晶硅沉积过程对SHJ太阳电池界面钝化影响研究