准单晶硅材料中LID与LeTID的比较

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准单晶硅材料中的LID（光致衰减）和LeTID（光热致衰减）是两种与光照和温度相关的性能退化现象。LID主要发生在初始光照阶段，由硼氧复合体形成导致少数载流子寿命下降，通常在初期快速衰减后趋于稳定，且可在较低温度下恢复。LeTID则更严重，发生在较高温度和长时间光照下，与氢、金属杂质等缺陷有关，衰减幅度大、恢复缓慢，且对太阳电池效率影响更持久。两者在衰减机理、温度敏感性、恢复特性及对电池性能影响上存在差异，理解这些有助于优化准单晶硅材料的制备和稳定性。