PECVD法制备高结晶GaN薄膜及其光电响应性能研究

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本课题围绕PECVD法制备高结晶GaN薄膜展开，并研究其光电响应性能。通过优化生长温度、气体流量及射频功率等工艺参数，成功制备出结晶质量良好的GaN薄膜，并分析了成膜机理与微观结构特性。进一步制作基于该薄膜的光电器件，测试其在光照下的电流-电压特性和响应速度。结果表明，所制备的GaN薄膜具有较高的结晶度和明显的光电响应，说明PECVD法在高质量GaN薄膜制备中具有可行性与应用潜力。