标准号GB/T 45720-2025状态
发布于：2025-05-30
实施于：2025-09-01
标准名：半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验
标准号：GB/T 45720-2025
标准类别：方法
中国标准分类号：L55
国际标准分类号： 31.080.01 31 电子学，31.080 半导体分立器件，31.080.01 半导体分立器件综合
归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会
执行单位：全国半导体器件标准化技术委员会
主管部门：工业和信息化部（电子）
国家标准《半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。
主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所、吉林华微电子股份有限公司、安徽长麦智能科技有限公司、中国科学院半导体研究所、广东汇芯半导体有限公司、贵州振华风光半导体股份有限公司、河北北芯半导体科技有限公司、东莞赛诺高德蚀刻科技有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳市森美协尔科技有限公司。
主要起草人 陈义强 、来萍 、高汭 、蔡荣敢 、冯宇翔 、王力纬 、董显山 、肖庆中 、陈媛 、常江 、刘岳阳 、刘岗岗 、裴选 、张亮旗 、冯军宏 、迟雷 、夏自金 、刘世文 。
