标准号GB/T 45716-2025状态
发布于：2025-05-30
实施于：2025-09-01
标准名：半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验
标准号：GB/T 45716-2025
标准类别：方法
中国标准分类号：L40
国际标准分类号： 31.080.01 31 电子学，31.080 半导体分立器件，31.080.01 半导体分立器件综合
归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会
执行单位：全国半导体器件标准化技术委员会
主管部门：工业和信息化部（电子）
国家标准《半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。
主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所、河北北芯半导体科技有限公司、上海交通大学、中科院微电子所、厦门芯阳科技股份有限公司、深圳市威兆半导体股份有限公司、浙江朗德电子科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所。
主要起草人 恩云飞 、高汭 、章晓文 、来萍 、柴智 、林晓玲 、陈义强 、周圣泽 、高金环 、任鹏鹏 、都安彦 、李伟聪 、陈磊 、冉红雷 。
