标准号T/CASAS 065-2026状态
发布日期：2026-06-30
实施日期：2026-06-30
SiC MOSFET器件交流-湿度-温度循环试验方法基本信息
标准号：T/CASAS 065—2026
英文标题：Alternating Current–Humidity and temperature cycles testing ，method for silicon carbide metal oxide semiconductor filed effect transistors (SiC MOSFET)
国际标准分类号：31电子学
国民经济分类：C 制造业
起草人：毛赛君、严雪松、陈媛、李汝冠、陆月明、肖磊、徐新兵、陈哲、周行星、杨奉涛、王来利、高伟
起草单位：忱芯科技(上海)有限公司、工业和*******五研究所、广电计量检测集团股份有限公司、安徽长飞先进半导体股份有限公司、深圳平湖实验室、国网上海市电力公司电力科学研究院、西安交通大学、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
适用范围：本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）交流-湿度-温度循环试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。本文件适用于SiCMOSFET分立器件和不含集成驱动、保护电路的SiCMOSFET模块的交流-湿度-温度循环试验。
内容概括：试验原理物理机制SiCMOSFET器件交流-湿度-温度循环（AC-HTC）试验的核心是模拟SiCMOSFET器件在实际任务剖面中面临的多应力耦合环境，其物理机制基于湿度、温度循环与交流电场的协同作用，通过诱发器件内部及界面的物理化学变化，暴露潜在失效风险。SiCMOSFET器件的封装结构存在微小缝隙或界面缺陷，在高湿度环境下水汽分子可通过缝隙渗透和材料扩散等路径进入器件内部。温度循环加速水汽向器件核心区域渗透，有机封装材料或键合层的分子间隙会允许水汽缓慢扩散，当环境湿度达……
