标准号T/CASAS 037-2025状态
发布日期：2025-12-30
实施日期：2025-12-30
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET） 栅极电荷试验方法基本信息
标准号：T/CASAS 037—2025
英文标题：Gate charge test method for silicon carbide metal-oxide-semiconductor field effect transistor（SiC MOSFET）
国际标准分类号：31电子学
国民经济分类：C 制造业
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起草单位：-
适用范围：本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）的栅极电荷试验方法，包括：试验原理、试验电路、试验条件以及数据处理方法。本文件仅适用于增强型N沟道垂直SiCMOSFET器件特性表征及可靠性试验等工作场景，可用于以下试验目标器件：a）增强型N沟道垂直SiCMOSFET分立器件晶圆级及封装级产品；b）含增强型N沟道垂直SiCMOSFET器件的功率模块。
内容概括：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、导通电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如新能源汽车、航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在高温、高频等极端环境下工作的电子器件。栅极电荷是评价器件特性的关键参数，特别是对于开关和驱动器……
