标准号T/CASAS 063-2026状态
发布日期：2026-06-30
实施日期：2026-06-30
SiC MOSFET功率模块有功对拖测试方法基本信息
标准号：T/CASAS 063—2026
英文标题：Active power testing method for silicon carbide metal oxide semiconductor filed effect transistors (SiC MOSFET) power module for EV main-inverter and PV & Wind power conversion system
国际标准分类号：31电子学
国民经济分类：C 制造业
起草人：毛赛君、高俊、陈媛、李汝冠、陆月明、肖磊、徐新兵、陈哲、周行星、杨奉涛、王来利、高伟
起草单位：忱芯科技(上海)有限公司、工业和*******五研究所、广电计量检测集团股份有限公司、安徽长飞先进半导体股份有限公司、深圳平湖实验室、国网上海市电力公司电力科学研究院、西安交通大学、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
适用范围：本文件描述了新能源主驱逆变器采用的两电平SiCMOSFET功率模块、光伏储能风电变流器采用的三电平SiCMOSFET功率模块有功对拖测试方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。本文件适用于SiIGBT模块的有功对拖输出测试。本文件适用于SiCMOSFET模块的有功对拖输出测试。本文件适用于SiIGBT、SiCMOSFET混合模块的有功对拖输出测试。本文件适用于ANPC、INPC、TNPC等拓扑电流的有功对拖输出测试。
内容概括：本文件描述了新能源主驱逆变器采用的两电平SiCMOSFET功率模块、光伏储能风电变流器采用的三电平SiCMOSFET功率模块有功对拖测试方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。除了SiCMOSFET模块以外，同时本文件也适用于SiIGBT模块和混合模块的有功对拖输出测试，相关实验和测试标准均……
