标准号T/CASAS 044-2025状态
发布日期：2025年12月30日
实施日期：2025年12月30日
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高压高温高湿反偏试验方法基本信息
标准编号：T/CASAS 044—2025
英文标题：High voltage high temperature high humidity reverse bias test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor filed effect transistors (SiC MOSFET)
国际标准分类号：31.080.30三极管
国民经济分类：C397 电子器件制造
起草人：毛赛君、杨书豪、王培飞、陈媛、罗涛、陆月明、刘红超、王珩宇、李汝冠、谢峰、祝遵祥、陈志玉、孙博韬、李钾、王民、陈中圆、周紫薇、段元淼、肖科、吴畅、郭清、林氦、杨奉涛、张雷、唐虎、刘鹏飞、仲雪倩、谢斌、孙钦华、胡惠娜、郭俊、乔良、李本亮、高伟。
起草单位：毛赛君、杨书豪、王培飞、陈媛、罗涛、陆月明、刘红超、王珩宇、李汝冠、谢峰、祝遵祥、陈志玉、孙博韬、李钾、王民、陈中圆、周紫薇、段元淼、肖科、吴畅、郭清、林氦、杨奉涛、张雷、唐虎、刘鹏飞、仲雪倩、谢斌、孙钦华、胡惠娜、郭俊、乔良、李本亮、高伟。
适用范围：本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高压高温高湿反偏试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。本文件适用范围：SiC MOSFET分立功率器件，功率模块。
内容概括：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。……
