半导体器件 - 功率器件用碳化硅同质外延晶片缺陷的无损识别标准 - 第1部分：缺陷分类 (IEC 63068-1:2019)

IEC 63068-1:2019 半导体器件 - 功率器件用碳化硅同质外延晶片缺陷的无损识别标准 - 第1部分：缺陷分类

Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 1: Classification of defects

标准号：IEC 63068-1:2019

发布日期：2019-01-30

IEC63068-1:2019的适用范围如下：本文件规定了用于半导体器件和微电子器件的硅片在制造、加工及测试过程中，对机械应力引起的缺陷进行检测和评估的方法与要求。它适用于硅片供应商、半导体器件制造商及相关测试实验室，旨在通过统一的技术规范，确保硅片在机械应力下的可靠性评估具有一致性和可比性，从而支持半导体行业的质量控制与工艺改进。