半导体器件 - 功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别准则 - 第2部分：采用光学检测的缺陷测试方法 (IEC 63068-2:2019)

IEC 63068-2:2019 半导体器件 - 功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别准则 - 第2部分：采用光学检测的缺陷测试方法

Semiconductor devices – Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 2: Test method for defects using optical inspection

标准号：IEC 63068-2:2019

发布日期：2019-01-30

IEC63068-2:2019的适用范围为：本文件规定了用于评估半导体器件在电离辐射（如伽马射线、X射线）环境下耐受能力的测试方法，主要针对总剂量效应（TID）的测量与评价，适用于分立半导体器件和集成电路在辐射环境（如航天、核能、高能物理等应用场合）中的可靠性验证与质量鉴定。