IEC 62373-1:2020

IEC 62373-1:2020 半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 - 第1部分：MOSFET快速BTI测试 Semiconductor devices - Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) - Part 1: Fast BTI test for MOSFET 标准号：IEC 62373-1:2020 发布日期：2020-07-15 IEC62373-1:2020标准的适用范围主要涉及半导体器件在偏置温度应力测试（BiasTemperatureStress,BTS）条件下的稳定性评估。该标准适用于评估MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和其他相关半导体器件在高温和偏置电压应力作用下的电性能稳定性，特别是阈值电压漂移和可靠性表现。它规定了测试条件、测量方法和数据分析要求，适用于研发、质量控制和可靠性验证等环节，为半导体行业提供统一的测试基准。