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碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法 (T/IAWBS 003-2017)

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标准号T/IAWBS 003—2017状态

发布时间:2017年12月20日

实施时间:2017年12月31日

碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法基本信息

标准号:T/IAWBS 003—2017

团体名称:中国标准化协会

主要技术内容:本标准规定了碳化硅(4H-SiC)外延层载流子浓度的测定方法─汞探针电容-电压法。 本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量,要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压下耗尽层的宽度。载流子浓度测量范围为:1×1014 cm-3 ~5×1017 cm-3。 本标准也可适用于碳化硅衬底载流子浓度的测量。

中国标准分类号:C398 电子元件及电子专用材料制造

国际标准分类号:29.045

发证机关:中华人民共和国民政部

行业分类:

标准名称:碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法

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