半导体器件 第9部分：分立器件 绝缘栅双极晶体管（IGBT） (IEC 60747-9:2019)

IEC 60747-9:2019 半导体器件 第9部分：分立器件 绝缘栅双极晶体管（IGBT）

Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)

标准号：IEC 60747-9:2019

发布日期：2019-11-13

IEC60747-9:2019的适用范围如下：本部分适用于半导体器件中的绝缘栅双极晶体管（IGBT），规定了其术语和定义、符号、基本额定值和特性、测试方法以及质量评定要求。它主要涵盖分立IGBT器件，包括模块中的IGBT芯片，但不涉及IGBT模块的封装、接口或系统级应用要求。该标准旨在为IGBT的电气、热学和机械特性提供统一的测试和表征规范，确保器件在不同应用中的可靠性和互换性。