半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验 (GB/T 45716.1-2026)

标准号GB/T 45716.1-2026状态

发布于：2026-04-30

实施于：2026-11-01

半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验基本信息

标准号：GB/T 45716.1-2026

标准类别：方法

中国标准分类号：L40

国际标准分类号： 31.080.30 31 电子学，31.080 半导体分立器件，31.080.30 三极管

归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会

执行单位：全国半导体器件标准化技术委员会

主管部门：工业和信息化部（电子）

国家标准《半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所、北京智芯微电子科技有限公司、中国电子科技集团公司第五十八研究所、河北北芯半导体科技有限公司、中国工程物理研究院流体物理研究所、龙腾半导体股份有限公司、广东芯聚能半导体有限公司、石家庄天林石无二电子有限公司、滁州华瑞微电子科技有限公司、江苏长晶科技股份有限公司、深圳市芯电元科技有限公司、重庆大学、长春理工大学、粤芯半导体技术股份有限公司、杭州高裕电子科技股份有限公司、南京宽能半导体有限公司、深圳市鲁光电子科技有限公司、无锡新洁能股份有限公司。

主要起草人 恩云飞 、高汭 、肖庆中 、李潮 、黄鹏 、章晓文 、林晓玲 、何玉娟 、杨晓锋 、来萍 、魏志鹏 、韦覃如 、韦拢 、孙哲 、牛皓 、鹿祥宾 、虞勇坚 、贾沛 、杨振宝 、王凌云 、王嘉蓉 、周晓阳 、杨彦峰 、赵玉玲 、刘海波 、刘健 、杨国江 、刘月 、吴永君 、孙守强 、吴志刚 、谢慧青 、朱礼贵 、朱袁正 。

半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验 (GB/T 45716.1-2026)