半导体器件 - 第1部分：金属层间时间相关介质击穿（TDDB）测试 (IEC 62374-1:2010)

IEC 62374-1:2010 半导体器件 - 第1部分：金属层间时间相关介质击穿（TDDB）测试

Semiconductor devices - Part 1: Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers

标准号：IEC 62374-1:2010

发布日期：2010-09-29

IEC62374-1:2010的适用范围如下：本标准规定了半导体器件在恒定偏置电压下进行时间相关介质击穿（TDDB）试验的一般测试方法、条件和程序。它适用于评估和比较不同绝缘介质材料或工艺条件下，半导体器件（如集成电路中的栅氧化层或互连介质层）在长期电场应力作用下的可靠性特性。本标准主要针对基于硅或其他半导体材料的器件，用于提供统一的测试框架，以支持器件寿命预测和可靠性评估。